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一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST-1材料的方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
C08-有机高分子化合物
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • 优先权项
  • PCT项
CN2017103785411
2017-05-25
发明专利
一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST-1材料的方法
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST?1材料的方法。该方法包括如下步骤:一、将ZnO溶于水和N,N?二甲基甲酰胺的混合溶液中,超声;二、将三水合硝酸铜溶于水中并充分搅拌至澄清;三、将步骤一和步骤二中的溶液混合,搅拌;四、将均苯三甲酸和模板剂十六烷基溴溶于乙醇中搅拌;五、将步骤三和步骤四中的溶液混合,搅拌;六、将所得产物抽滤、干燥,得到中微双孔HKUST?1材料。本发明通过加入十六烷基溴作为模板剂,不仅操作简便,条件温和,同时也缩短了合成时间。产物呈现出片层结构,具有丰富的孔道,同时具有微孔、介孔两种孔道,不仅结构稳定,在大分子的吸附和催化方面也有较好的应用前景。

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