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一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
C08-有机高分子化合物
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2013105618097
2013-11-12
发明专利
一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种导电聚3,4?乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4?乙撑二氧噻吩溶液,使3,4?乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合,生成导电聚3,4?乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有:3,4?乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合,所需设备简单,工艺调控方便,原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚3,4?乙撑二氧噻吩复合膜。

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